**產品簡介：**
BSO130N03MS G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET，封裝為 SOP8，適用于中低電壓高電流應用。其 VDS（漏極-源極最大電壓）為 30V，最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V，漏極電流 ID 達到 13A。該 MOSFET 采用溝槽型工藝技術，具有低導通電阻（RDS(ON) 為 11mΩ 在 VGS=4.5V 時，8mΩ 在 VGS=10V 時），能夠提供優異的開關性能和高效能。

**詳細參數說明：**
- **封裝**: SOP8
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓（VDS）**: 30V
- **柵源極電壓（VGS）**: ±20V
- **閾值電壓（Vth）**: 1.7V
- **導通電阻（RDS(ON)）**: 11mΩ @ VGS = 4.5V；8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流（ID）**: 13A
- **技術**: 溝槽型工藝

**應用領域和模塊示例：**
1. **電源開關**：在高效的電源開關應用中，BSO130N03MS G-VB 的低 RDS(ON) 有助于減少能量損耗，提高電源轉換效率，適合用于各種電源管理和開關電路。
2. **電動汽車**：在電動汽車的電池管理系統和電機驅動模塊中，該 MOSFET 可處理高電流負載，確保系統的可靠性和高效性。
3. **工業設備**：在工業控制和負載開關系統中，BSO130N03MS G-VB 的高電流承受能力和低導通電阻使其適合用于需要高效能和穩定性的應用。