**1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**

BSO110N03MS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 SOP8。采用 Trench 技術(shù)，提供低導(dǎo)通電阻和適中的電流處理能力，非常適合用于高效能和高密度的電子應(yīng)用。

**2. 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**

- **封裝**: SOP8
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 11mΩ（在 VGS=4.5V 時(shí)）
 - 8mΩ（在 VGS=10V 時(shí)）
- **漏極電流 (ID)**: 13A
- **技術(shù)**: Trench

**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**

BSO110N03MS G-VB 適用于高電流和高效能的電源管理系統(tǒng)，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、功率調(diào)節(jié)模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED 驅(qū)動(dòng)電路和高效能電源系統(tǒng)。其低導(dǎo)通電阻使其在高功率和高頻應(yīng)用中能有效減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率，特別適合用于電源開(kāi)關(guān)和功率調(diào)節(jié)應(yīng)用。