### 產(chǎn)品簡介

BSL315P-VB是一款雙管P溝道MOSFET，封裝形式為SOT23-6。該MOSFET支持-20V的漏極-源極耐壓和±12V的柵極-源極耐壓，具有-0.6V的門檻電壓。采用Trench技術(shù)制造，具有較低的導通電阻，適合用于各種低電壓開關(guān)和電源管理應用。

### 參數(shù)說明

- **型號**: BSL315P-VB
- **封裝**: SOT23-6
- **配置**: 雙管P溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: -20V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±12V
- **門檻電壓 (Vth)**: -0.6V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5V柵極驅(qū)動下: 100mΩ
 - 4.5V柵極驅(qū)動下: 75mΩ
- **漏極電流 (ID)**: -4A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應用領域

BSL315P-VB適用于以下領域和模塊：

1. **電源開關(guān)**: 用于低電壓電源開關(guān)中，提供高效的開關(guān)控制，降低功率損耗。
2. **負載開關(guān)**: 適用于各種負載開關(guān)應用，能夠在負電壓下穩(wěn)定工作，確保系統(tǒng)可靠性。
3. **電池管理**: 在電池管理系統(tǒng)中，作為開關(guān)元件處理負電流，提供有效的電源切換和保護。
4. **開關(guān)電源**: 用于開關(guān)電源設計中，作為高效的開關(guān)元件，支持低電壓和高電流的電源轉(zhuǎn)換。

該MOSFET的低導通電阻和高電流能力使其在要求高效、可靠的低電壓開關(guān)應用中表現(xiàn)優(yōu)異。