--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**BSC320N20NS3 G-VB** 是一款高耐壓單通道 N 型 MOSFET,采用 DFN8(5x6) 封裝。該器件設計用于中高電壓應用,具有高漏極-源極耐壓(200V),適合高電壓環境。其閾值電壓為 3V,最大漏極電流為 30A,RDS(ON) 為 38mΩ @ VGS=10V,確保了高效的開關性能和較低的功耗。采用溝道工藝(Trench),在不同工作條件下表現穩定。
### 詳細參數說明
- **型號**: BSC320N20NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 200V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **RDS(ON)**: 38mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: 溝道工藝 (Trench)
### 應用領域和模塊
**BSC320N20NS3 G-VB** 適用于以下領域和模塊:
1. **高壓電源管理**:在高電壓電源轉換器中使用,適合如工業電源、HVDC 電源系統等應用,提供穩定的開關性能。
2. **電機驅動**:用于中高電壓電機控制系統,適合如電動工具、高壓泵和工業設備等。
3. **汽車電源**:在汽車電源管理系統中應用,支持高電壓負載,如電動座椅和高壓電動門鎖。
4. **充電系統**:適用于高壓電池充電器和電池管理系統中,提供高效開關控制,優化充電過程。
5. **能源轉換**:用于高壓逆變器和功率轉換器,支持太陽能和風能等可再生能源系統。
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