### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
BSC196N10NS G-VB是一款高性能的單N溝道MOSFET，采用DFN8(5x6)封裝，專為高電壓和中電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。這款MOSFET使用Trench技術(shù)，具有適中的導(dǎo)通電阻和較高的電壓耐受能力，可以在高達(dá)100V的漏源極電壓下穩(wěn)定工作，并提供最大30A的漏極電流。其設(shè)計(jì)使其特別適用于高電壓開(kāi)關(guān)和功率管理應(yīng)用，提供了可靠的性能和較低的能量損耗。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**: BSC196N10NS G-VB
- **封裝類型**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.8V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 17mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術(shù)**: Trench
### 應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例
1. **高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器**：BSC196N10NS G-VB MOSFET在高電壓DC-DC轉(zhuǎn)換器中表現(xiàn)優(yōu)異，能夠在高達(dá)100V的電壓下提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能。其適中的導(dǎo)通電阻和高電流能力幫助提高轉(zhuǎn)換器的效率，減少功率損耗。
2. **電源管理系統(tǒng)**：在電源管理應(yīng)用中，這款MOSFET可以有效地處理高電壓負(fù)載并提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能。其較低的導(dǎo)通電阻確保了在高電壓和大電流環(huán)境中的穩(wěn)定性和可靠性。
3. **高功率LED驅(qū)動(dòng)器**：BSC196N10NS G-VB MOSFET適合用于高功率LED驅(qū)動(dòng)器，能夠在高電壓條件下穩(wěn)定地控制大電流，提升LED的亮度和壽命。其較低的導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗，提高驅(qū)動(dòng)器的整體效率。
4. **開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)**：在開(kāi)關(guān)電源模塊中，這款MOSFET能夠處理較高的電壓和電流負(fù)載。其優(yōu)異的導(dǎo)通性能和高電壓耐受性使其適用于高功率開(kāi)關(guān)操作，提高電源系統(tǒng)的整體效率。
5. **電動(dòng)汽車 (EV) 電池管理**：BSC196N10NS G-VB MOSFET能夠用于電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)，處理高電壓和大電流的充放電操作。其穩(wěn)定的性能和高電壓耐受能力確保了電池管理系統(tǒng)的可靠性和安全性。
BSC196N10NS G-VB憑借其高電壓耐受性和可靠的開(kāi)關(guān)性能，在這些高電壓應(yīng)用中展現(xiàn)出了優(yōu)異的性能，是高電壓和高功率應(yīng)用中的理想選擇。
