--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-P
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### BSC130P03LS G-VB MOSFET 產品簡介
BSC130P03LS G-VB 是一款高性能單P溝道功率MOSFET,采用Trench技術,并封裝在DFN8 (5x6) 外殼中。這款MOSFET具有負漏源電壓和低導通電阻,非常適合在需要高效能和高可靠性的電力管理應用中使用。
### 詳細的參數說明
- **型號**: BSC130P03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單P溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: -30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: -2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 12mΩ @ VGS = 4.5V
- 7.8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: -60A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊舉例
#### 電源管理和DC-DC轉換器
BSC130P03LS G-VB 的低導通電阻和高電流承載能力使其在電源管理系統中表現優異。它可以用作DC-DC轉換器中的高邊開關元件,尤其是在負電源軌或低壓應用中,提供高效能和高可靠性。
#### 電機驅動器
在電機驅動應用中,BSC130P03LS G-VB 適用于電機驅動電路中的低邊開關。例如,在電動汽車的電機控制中,它可以高效地處理高電流負載,提高電機驅動系統的效率和響應速度。
#### 汽車電子
BSC130P03LS G-VB 的特性使其適合用于汽車電子系統中的功率開關應用,如電池管理系統和電動驅動系統。其高電流承載能力和低導通電阻能夠確保系統在負電壓下的穩定性和高效能。
#### 消費電子產品
在消費電子產品中,如便攜式設備和家電產品,BSC130P03LS G-VB 可以用作電源開關或電池供電系統中的負邊開關,優化電源管理,提高系統的效率和可靠性,特別是在緊湊設計的應用中表現突出。
BSC130P03LS G-VB MOSFET 由于其優越的電氣性能和緊湊封裝設計,廣泛應用于電源管理、DC-DC轉換器、電機驅動器、汽車電子和消費電子產品等領域,為高效能電力電子系統的設計和應用提供了可靠支持。
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