### BSC100N03MS G-VB MOSFET 產品簡介
BSC100N03MS G-VB 是一款高性能單N通道MOSFET，封裝在DFN8(5x6)外殼中。該MOSFET 設計用于高電流和高效率的應用場合。其最大漏極-源極電壓（VDS）為30V，柵極-源極電壓（VGS）容差為±20V，適用于各種電源管理和開關應用。BSC100N03MS G-VB 的閾值電壓（Vth）為1.7V，確保在較低的柵極電壓下能夠可靠啟動。其導通電阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V 時為9mΩ，在VGS = 10V 時為7mΩ，提供了良好的功率效率和低功耗。該MOSFET 的連續漏極電流（ID）高達80A，適合處理大電流負荷。BSC100N03MS G-VB 采用先進的溝槽技術，優化了其開關性能和總體能效。
### BSC100N03MS G-VB MOSFET 詳細參數說明
- **封裝類型:** DFN8(5x6)
- **配置:** 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 30V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
- VGS = 4.5V 時為 9mΩ
- VGS = 10V 時為 7mΩ
- **連續漏極電流 (ID):** 80A
- **技術:** 溝槽技術
### BSC100N03MS G-VB MOSFET 的應用領域
BSC100N03MS G-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其在多個領域中表現出色。例如，在電源管理系統中，這款MOSFET 可以用于高效的電源開關和電源調節模塊，以處理大電流負荷并提高能效。在電動汽車領域，它適合用作電機控制系統和電池管理模塊中的開關元件，確保高效和穩定的電流供應。在工業應用中，BSC100N03MS G-VB 可以應用于高功率電機驅動器和電源轉換設備，提供可靠的開關功能并減少能量損失。此外，該MOSFET 也適合用于高效能LED驅動器和其他高功率電子設備，以提升整體性能和功率效率。
