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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BSC050NE2LS-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號(hào): BSC050NE2LS-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
BSC050NE2LS-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET,封裝為 DFN8(5x6),專為中低電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計(jì)。其 VDS(漏極-源極最大電壓)為 30V,最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V,漏極電流 ID 達(dá) 120A。該 MOSFET 采用溝槽型工藝技術(shù),具有低導(dǎo)通電阻(RDS(ON) 為 5mΩ 在 VGS=4.5V 時(shí),3mΩ 在 VGS=10V 時(shí)),適用于需要高效率和高可靠性的開關(guān)電路。

**詳細(xì)參數(shù)說明:**
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**: 30V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 5mΩ @ VGS = 4.5V;3mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 120A
- **技術(shù)**: 溝槽型工藝

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **高效電源轉(zhuǎn)換**:在高效的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)中,BSC050NE2LS-VB 的低 RDS(ON) 可以減少功耗,提高系統(tǒng)效率,適合用于高電流的電源設(shè)計(jì)。
2. **電動(dòng)汽車**:在電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊中,該 MOSFET 能處理大電流負(fù)載,保證電動(dòng)汽車系統(tǒng)的穩(wěn)定性和性能。
3. **工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)**:用于工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制和高功率開關(guān)系統(tǒng)中,BSC050NE2LS-VB 的高電流能力和低導(dǎo)通電阻使其適合用于要求高負(fù)載和高效能的應(yīng)用。

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