**1. 產(chǎn)品簡(jiǎn)介：**

BSC050N03MS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。采用 Trench 技術(shù)，提供低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，適用于要求高效能和高密度的電子設(shè)備。

**2. 詳細(xì)參數(shù)說明：**

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ（在 VGS=4.5V 時(shí)）
 - 3mΩ（在 VGS=10V 時(shí)）
- **漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術(shù)**: Trench

**3. 應(yīng)用領(lǐng)域舉例：**

BSC050N03MS G-VB 適用于高電流密度的電源管理系統(tǒng)，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電源調(diào)節(jié)模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED 驅(qū)動(dòng)電路和高效能電源系統(tǒng)。其較低的導(dǎo)通電阻使其在高功率和高頻應(yīng)用中能夠有效減少功率損耗，提高系統(tǒng)整體效率。