### 產品簡介

**BSC050N03LS G-VB** 是一款高效單通道 N 型 MOSFET，采用 DFN8(5x6) 封裝，專為低電壓、高電流應用設計。該器件具有較低的 RDS(ON)（3mΩ @ VGS=10V），最大漏極電流為 120A，能夠在高負載下有效減少功耗。其閾值電壓為 1.7V，柵極-源極耐壓為 ±20V，適合在復雜環境中穩定工作。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSC050N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 120A
- **技術**: 溝道工藝 (Trench)

### 應用領域和模塊

**BSC050N03LS G-VB** 在以下領域和模塊中表現優異：

1. **電源管理**：適用于高效電源轉換器和 DC-DC 轉換模塊，能有效降低功耗并提高系統效率。
2. **電機驅動**：在電機控制系統中處理高電流，適合用于工業電機、電動車輛和電動工具。
3. **汽車電子**：應用于汽車電源管理和負載開關，如電動窗戶、座椅調節和電動后視鏡。
4. **充電系統**：用于電池充電器和電池管理系統中，提供高效的開關控制，優化充電過程。
5. **計算機電源**：在數據中心和高性能計算設備中應用，支持高電流開關，提高電源模塊的性能和可靠性。