### 產(chǎn)品簡介

BSC042NE7NS3 G-VB是一款高性能單管N溝道MOSFET，封裝形式為DFN8 (5x6)。該MOSFET提供80V的漏極-源極耐壓、20V的柵極-源極耐壓，并具有3V的門檻電壓。采用Trench技術(shù)制造，具有較低的導(dǎo)通電阻，適用于中高電流的開關(guān)和電源管理應(yīng)用。

### 參數(shù)說明

- **型號**: BSC042NE7NS3 G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單管N溝道
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 80V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 4.5V柵極驅(qū)動(dòng)下: 7mΩ
 - 10V柵極驅(qū)動(dòng)下: 5mΩ
- **漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術(shù)**: Trench技術(shù)

### 應(yīng)用領(lǐng)域

BSC042NE7NS3 G-VB適用于以下領(lǐng)域和模塊：

1. **電源管理**: 適用于高效電源管理系統(tǒng)，能夠處理高電壓和中高電流，降低功率損耗。
2. **DC-DC轉(zhuǎn)換器**: 在DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為開關(guān)元件，以支持高電流和高效率轉(zhuǎn)換。
3. **電動(dòng)汽車**: 適用于電動(dòng)汽車的電池管理系統(tǒng)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，提供高效的開關(guān)性能。
4. **功率放大器**: 用于需要高電壓和低導(dǎo)通電阻的功率放大器和高功率開關(guān)應(yīng)用。

此MOSFET的高漏極-源極耐壓和低導(dǎo)通電阻特性使其在要求高效和高可靠性的高電壓應(yīng)用中表現(xiàn)出色。