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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場的終端制造商

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BSC037N025S G-VB一款Single-N溝道DFN8(5X6)的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說明

型號: BSC037N025S G-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 DFN8(5X6)
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡介:**
BSC037N025S G-VB 是一款高效能 N-Channel MOSFET,封裝為 DFN8(5x6),專為低電壓、大電流應(yīng)用設(shè)計。該 MOSFET 的 VDS(漏極-源極最大電壓)為 30V,最大柵源極電壓 VGS 為 ±20V,漏極電流 ID 高達 160A。其 RDS(ON) 為 2.5mΩ(在 VGS=4.5V 時)和 1.8mΩ(在 VGS=10V 時),采用溝槽型工藝技術(shù),具有極低的導(dǎo)通電阻,適用于要求高性能和高效率的開關(guān)電路。

**詳細參數(shù)說明:**
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**: 30V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 2.5mΩ @ VGS = 4.5V;1.8mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 160A
- **技術(shù)**: 溝槽型工藝

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **高效電源轉(zhuǎn)換**:在高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電源管理系統(tǒng)中,BSC037N025S G-VB 的低 RDS(ON) 能有效減少能量損失,提高系統(tǒng)整體效率,適合用于需要高電流的電源設(shè)計。
2. **電動汽車**:在電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電機驅(qū)動模塊中,該 MOSFET 能處理大電流負載,確保電動汽車系統(tǒng)的可靠性和高效能。
3. **工業(yè)電機控制**:用于工業(yè)電機驅(qū)動和負載開關(guān)系統(tǒng)中,BSC037N025S G-VB 能夠支持高電流操作,適用于高功率和高可靠性的工業(yè)應(yīng)用。

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