**1. 產(chǎn)品簡介：**

BSC034N03LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。該 MOSFET 使用 Trench 技術，具有極低的導通電阻和高電流處理能力，非常適合對高效能和高密度有嚴格要求的電子應用。

**2. 詳細參數(shù)說明：**

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性 N-Channel
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ（在 VGS=4.5V 時）
 - 1.8mΩ（在 VGS=10V 時）
- **漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術**: Trench

**3. 應用領域舉例：**

BSC034N03LS G-VB 適用于高電流密度和高效能的電源管理系統(tǒng)，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、功率調(diào)節(jié)模塊、電機驅(qū)動、LED 驅(qū)動電路以及高效能電源系統(tǒng)。其低導通電阻和高電流承載能力使其在高頻、高效率要求的電源和開關應用中表現(xiàn)突出，有助于提高系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性。