### 產(chǎn)品簡介

**BSC019N04NS G-VB** 是一款高性能單 N-Channel MOSFET，封裝形式為 DFN8(5x6)。這款 MOSFET 采用 Trench 技術，具有非常低的導通電阻和高漏電流承載能力，適用于高效率開關應用和大電流電源模塊。

### 詳細參數(shù)說明

- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (V_DS)**: 40V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導通電阻 (R_DS(on))**: 2mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 120A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

1. **高效開關電源**: 由于其超低導通電阻和高耐壓能力，BSC019N04NS G-VB 非常適合在高效開關電源中作為主要開關組件，能夠顯著減少功耗并提高整體效率。

2. **大功率電流驅(qū)動**: 適用于需要大電流承載的應用，如電機驅(qū)動和高功率 DC-DC 轉(zhuǎn)換器，能夠提供穩(wěn)定的電流并提高系統(tǒng)可靠性。

3. **電源管理**: 用于電源管理電路中，可以在電源分配和電池管理系統(tǒng)中提供高效的開關功能，提升系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。

4. **計算機和通信設備**: 在計算機主板和通信設備中作為關鍵的功率開關元件，能有效管理高功率負載和減少熱損耗。