### 產品簡介

**BSC018N04LS G-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET，采用DFN8(5x6)封裝。該MOSFET具有40V的漏源電壓（VDS），支持最大±20V的柵極源電壓（VGS）。它的閾值電壓（Vth）為3V，具有超低的導通電阻2mΩ（VGS=10V），并且能承受高達120A的最大漏電流。MOSFET采用溝槽技術，適合用于高功率和高效率的電源和負載開關應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSC018N04LS G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 2mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 120A
- **技術**: 溝槽技術

### 適用領域和模塊

**BSC018N04LS G-VB** 功率MOSFET 主要適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**：在高效開關電源中作為開關元件，適合高電流和低損耗的需求，提升整體電源效率。

2. **電機驅動**：在高功率電機驅動系統中用于高電流開關，能夠處理大電流并保持低導通損耗。

3. **電池供電系統**：用于電池管理和保護，特別是在需要高電流負載的應用中，確保系統穩定性和安全性。

4. **高功率轉換器**：在DC-DC轉換器和其他功率轉換模塊中，用于實現高效的功率轉換和降低熱損耗。