### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介

BSC016N04LS G-VB 是一款高性能 N-Channel MOSFET，封裝為 DFN8(5x6)。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流處理能力，適用于需要高效率和高電流的應(yīng)用，如電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

### 詳細(xì)參數(shù)說明

- **型號(hào)**: BSC016N04LS G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **類型**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **門檻電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5 mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8 mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏電流 (ID)**: 160A
- **技術(shù)**: 溝槽型

### 適用領(lǐng)域和模塊

BSC016N04LS G-VB 適用于：

1. **電源管理**：其低導(dǎo)通電阻和高電流能力使其適合用于高效電源轉(zhuǎn)換和管理電路。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)**：能夠處理大電流，適合用于電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)模塊。
3. **高效開關(guān)電路**：由于其低 RDS(ON)，適用于高效的開關(guān)電路，如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器和電池管理系統(tǒng)。