### 產(chǎn)品簡介

**BRI1N60-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET，采用TO251封裝，適用于高電壓應(yīng)用。該MOSFET具有650V的漏源電壓（VDS），并支持最大±30V的柵極源電壓（VGS）。它的閾值電壓（Vth）為3.5V，具有較低的導(dǎo)通電阻4300mΩ（VGS=10V）和最大漏電流2A。MOSFET采用平面技術(shù)，適合高壓開關(guān)電源和功率控制應(yīng)用。

### 詳細參數(shù)說明

- **型號**: BRI1N60-VB
- **封裝**: TO251
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±30V
- **閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 4300mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 2A
- **技術(shù)**: 平面技術(shù)

### 適用領(lǐng)域和模塊

**BRI1N60-VB** 功率MOSFET 主要適用于以下領(lǐng)域和模塊：

1. **電源管理**：在高壓開關(guān)電源中用作開關(guān)元件，確保高效能量轉(zhuǎn)換和降低功率損耗。
  
2. **功率控制**：在各種電機驅(qū)動和功率調(diào)節(jié)應(yīng)用中，作為開關(guān)元件以實現(xiàn)高效控制和穩(wěn)定性。

3. **電力逆變器**：在光伏發(fā)電系統(tǒng)和UPS（不間斷電源）系統(tǒng)中，用于高壓直流到交流的轉(zhuǎn)換。

4. **電池管理系統(tǒng)**：用于電池保護和管理，尤其是在需要高電壓耐受的應(yīng)用中，確保系統(tǒng)的可靠性和安全性。