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微碧半導(dǎo)體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發(fā)制造,致力于服務(wù)中高端市場(chǎng)的終端制造商

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BRF6N60-VB一款Single-N溝道TO220F的MOSFET晶體管參數(shù)介紹與應(yīng)用說(shuō)明

型號(hào): BRF6N60-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 封裝 TO220F
  • 溝道 Single-N

--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---

--- 產(chǎn)品詳情 ---

**產(chǎn)品簡(jiǎn)介:**
BRF6N60-VB 是一款高壓 N-Channel MOSFET,封裝為 TO220F,適用于高電壓、大電流的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其 VDS(漏極-源極最大電壓)為 650V,最大柵源極電壓 VGS 為 ±30V,漏極電流 ID 達(dá) 7A。其 RDS(ON) 為 1100mΩ(在 VGS=10V 時(shí)),采用平面型工藝技術(shù),適合各種高電壓功率開(kāi)關(guān)電路。

**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明:**
- **封裝**: TO220F
- **類型**: 單極性 N-Channel MOSFET
- **漏源極電壓(VDS)**: 650V
- **柵源極電壓(VGS)**: ±30V
- **閾值電壓(Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻(RDS(ON))**: 1100mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流(ID)**: 7A
- **技術(shù)**: 平面型工藝

**應(yīng)用領(lǐng)域和模塊示例:**
1. **電源管理模塊**:在高壓電源開(kāi)關(guān)和逆變器中,BRF6N60-VB 由于其高耐壓和大電流能力,能夠提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)性能,保障電源系統(tǒng)的可靠性。
2. **電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路**:在電動(dòng)機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路中,此 MOSFET 可以有效地處理高電壓和大電流負(fù)載,提高驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的效率。
3. **照明控制系統(tǒng)**:在LED照明或高功率燈具的控制系統(tǒng)中,該 MOSFET 可用于調(diào)節(jié)光源的開(kāi)關(guān)狀態(tài),支持高功率操作。

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