--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 TO220F
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡介
BRF4N60-VB 是一款高壓 N-Channel MOSFET,封裝為 TO220F。它適用于高電壓和高電流應(yīng)用。具有 650V 的漏源電壓 (VDS) 和 4A 的連續(xù)漏電流 (ID),適合用于開關(guān)電源和高壓電路。
### 詳細(xì)參數(shù)說明
- **型號**: BRF4N60-VB
- **封裝**: TO220F
- **類型**: 單 N-Channel
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **門檻電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**: 2560 mΩ @ VGS = 10V
- **連續(xù)漏電流 (ID)**: 4A
- **技術(shù)**: 平面型
### 適用領(lǐng)域和模塊
BRF4N60-VB 適用于:
1. **開關(guān)電源**:由于其高 VDS 和低 RDS(ON),適合用于電源開關(guān)。
2. **電機(jī)驅(qū)動**:能處理較高電壓和電流,適合電機(jī)控制電路。
3. **高壓開關(guān)**:用于高壓開關(guān)電路,如逆變器和電源適配器。
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