### BR50N06-VB MOSFET 產品簡介

BR50N06-VB 是一款高性能單N通道MOSFET，封裝在TO-220外殼中。該MOSFET 設計用于需要高電流處理和高效率的應用場合。其最大漏極-源極電壓（VDS）為60V，柵極-源極電壓（VGS）容差為±20V，適合于各種電源管理和開關應用。BR50N06-VB 的閾值電壓（Vth）為1.7V，保證了在低柵極電壓下可靠啟動。該MOSFET 的導通電阻（RDS(ON)）在VGS = 4.5V時為13mΩ，在VGS = 10V時為11mΩ，提供了良好的功率效率和較低的功耗。其連續漏極電流（ID）高達60A，適合于處理較大電流的應用。BR50N06-VB 采用先進的溝槽技術，優化了其開關性能和整體能效。

### BR50N06-VB MOSFET 詳細參數說明

- **封裝類型:** TO-220
- **配置:** 單N通道
- **最大漏極-源極電壓 (VDS):** 60V
- **最大柵極-源極電壓 (VGS):** ±20V
- **閾值電壓 (Vth):** 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON)):**
 - VGS = 4.5V 時為 13mΩ
 - VGS = 10V 時為 11mΩ
- **連續漏極電流 (ID):** 60A
- **技術:** 溝槽技術

### BR50N06-VB MOSFET 的應用領域

BR50N06-VB MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其在多種領域中表現出色。例如，在電源管理系統中，這款MOSFET 可以用于開關電源和電源調節模塊，以高效處理大電流負荷并減少功耗。在汽車電子領域，它適合用于電動車輛的電機控制系統中，確保高效和穩定的電流供應。在工業應用中，BR50N06-VB 可用于電機驅動器和高功率轉換設備，提供可靠的高電流開關功能，降低能量損失。此外，該MOSFET 還可用于消費電子產品，如高效能LED驅動器和電源模塊，提升整體設備的性能和能效。