--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**B40N20-VB** 是一款單極N溝道MOSFET,封裝形式為TO263。采用Trench技術,具有較高的耐壓和中等導通電阻。此MOSFET 設計用于高電壓環境下的電力電子應用,能夠提供穩定的性能,適合各種需要高電壓和高開關效率的系統。
### 參數說明
- **型號**:B40N20-VB
- **封裝**:TO263
- **配置**:單極N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:200V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **閾值電壓 (Vth)**:3V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:38mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**:45A
- **技術**:Trench
### 適用領域和模塊
**B40N20-VB** MOSFET 在以下領域和模塊中表現優異:
1. **高壓開關電源**:其高耐壓能力使其適合用于高壓開關電源中,能夠處理較高電壓負載并提供穩定的開關性能。
2. **電機驅動系統**:在高電壓電機驅動應用中,B40N20-VB 提供可靠的開關功能,適合用于高電壓電機的控制。
3. **工業電源管理**:適用于工業電源管理系統中,能夠在高電壓條件下有效地開關和調節電源。
4. **電力轉換設備**:在電力轉換設備中,該MOSFET 能夠處理高電壓負載,確保設備的穩定性和高效能。
5. **逆變器**:適用于高電壓逆變器應用中,能夠穩定工作,支持高效的電力轉換和管理。
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