### 產(chǎn)品簡介
**B403-VB** 是一款采用 TO263 封裝的單級 P 溝道 MOSFET。該器件使用溝槽工藝，具有低導(dǎo)通電阻和高電流能力，適用于高效率和高功率的負(fù)載開關(guān)和控制應(yīng)用。
### 參數(shù)說明
- **封裝**：444
- **配置**：單級 P 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：-60V
- **柵源電壓 (VGS)**：±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：-1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：
- 19mΩ @ VGS = 10V
- 25mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏電流 (ID)**：-80A
- **技術(shù)**：溝槽工藝
### 適用領(lǐng)域和模塊示例
1. **電源開關(guān)**：B403-VB 適用于電源開關(guān)應(yīng)用，其低導(dǎo)通電阻和高電流能力可以提高開關(guān)效率，減少功耗和發(fā)熱，適合用于各種電源管理模塊。
2. **負(fù)載開關(guān)**：在負(fù)載開關(guān)應(yīng)用中，該 MOSFET 可以有效控制高電流負(fù)載，提供穩(wěn)定的開關(guān)性能，適用于電池保護(hù)和電流管理。
3. **電動汽車**：用于電動汽車的電池管理系統(tǒng)和電機(jī)控制中，處理高電流負(fù)載，提升系統(tǒng)的可靠性和性能。
4. **開關(guān)電源**：在開關(guān)電源中，這款 MOSFET 適用于高電流開關(guān)任務(wù)，能夠有效管理電源開關(guān)操作，提高系統(tǒng)的整體效率。
