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微碧半導體VBsemi

VBsemi專注于MOS管研發制造,致力于服務中高端市場的終端制造商

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B300NH02L-VB一款Single-N溝道TO263的MOSFET晶體管參數介紹與應用說明

型號: B300NH02L-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 產品參數 ---

  • 封裝 TO263
  • 溝道 Single-N

--- 數據手冊 ---

--- 產品詳情 ---

### 產品簡介

B300NH02L-VB 是一款高性能單通道 N 溝道 MOSFET,封裝類型為 TO263。該 MOSFET 能承受高達 30V 的漏源電壓,并且支持最大 150A 的漏極電流。采用 Trench 工藝,具有極低的導通電阻,非常適合高電流和高功率的應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: B300NH02L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單通道 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.2mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.3mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術**: Trench 工藝

### 適用領域和模塊

B300NH02L-VB 適用于以下領域:

1. **電源管理**: 在高電流開關電源和高效能 DC-DC 轉換器中提供低導通電阻和高電流處理能力,優化電源轉換效率。
2. **電動汽車**: 用于電動汽車中的電機驅動和電池管理系統,因其高電流能力和低導通電阻能有效處理高功率需求。
3. **電力電子**: 在高功率電源設備中,如逆變器和功率調節器,處理高電流和高功率的電源開關任務。
4. **工業應用**: 適合高功率自動化控制系統和電機驅動中作為功率開關元件,確保系統的高效運行和穩定性。

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