### 產品簡介
B29S50-VB 是一款高電壓、高功率單級N溝道 MOSFET，封裝形式為 TO263。采用 SJ_Multi-EPI 技術，設計用于處理高電壓應用，具備可靠的性能和穩定性，適合用于高壓開關和功率控制系統。

### 詳細參數說明
- **型號**: B29S50-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單級N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 500V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 140mΩ @ VGS=10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 30A
- **技術**: SJ_Multi-EPI

### 應用領域和模塊
B29S50-VB 適用于以下領域和模塊：

1. **高壓電源開關**：在高電壓電源系統中，作為開關元件處理大電壓負載，確保系統穩定和高效。
2. **工業電源**：用于工業設備中的高電壓開關應用，提供可靠的功率管理和電源控制。
3. **電動汽車**：在電動汽車的高壓電池管理和功率控制系統中，處理高電壓需求，優化系統性能。
4. **電力轉換器**：在高電壓 DC-DC 轉換器中作為開關元件，提升能量轉換效率并維持系統穩定性。