### 產品簡介

B20S60-VB 是一款高耐壓單通道 N 溝道 MOSFET，封裝類型為 TO263。該 MOSFET 設計能夠承受高達 650V 的漏源電壓，并且支持最大 20A 的漏極電流。采用 SJ_Multi-EPI 技術，具有較低的導通電阻，適用于高電壓和高功率應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: B20S60-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單通道 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 650V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 160mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 20A
- **技術**: SJ_Multi-EPI 工藝

### 適用領域和模塊

B20S60-VB 適用于以下領域：

1. **電力轉換**: 用于高電壓開關電源和逆變器中，提供高效的電源轉換和穩定的電流調節。
2. **電力電子**: 在高功率電力設備中，如電源逆變器和功率調節器，處理高功率應用的電源開關。
3. **工業控制**: 適合用于高壓工業自動化設備中，例如電機驅動系統和電力控制系統，確保穩定可靠的功率開關功能。
4. **家電設備**: 在高電壓家電和照明系統中，如空調和高壓燈具，提供高效能和安全的電源管理。