### 產品簡介

**B20NM50-VB** 是一款單極N溝道MOSFET，封裝形式為TO263。該器件采用SJ_Multi-EPI技術，具備高耐壓和相對較低的導通電阻，適合高電壓和高功率應用。這款MOSFET提供可靠的高電壓開關性能，適用于各種電力電子和能源管理系統。

### 參數說明

- **型號**：B20NM50-VB
- **封裝**：TO263
- **配置**：單極N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：160mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**：20A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊

**B20NM50-VB** MOSFET 在以下領域和模塊中表現優異：

1. **高壓開關電源**：適合用于高壓開關電源中，能夠處理高電壓負載，同時保持較低的導通電阻，提升電源效率和穩定性。
2. **逆變器**：在逆變器應用中，這款MOSFET 能夠承受高電壓，提供穩定的電力轉換性能，適用于太陽能和風能逆變器。
3. **工業電源管理**：用于高電壓電源管理系統，能夠在高電壓環境下提供可靠的開關功能，確保系統的穩定性和性能。
4. **電機驅動系統**：在高電壓電機驅動應用中，B20NM50-VB 可以提供有效的電力開關管理，支持高電壓下的電機高效運行。
5. **電力轉換設備**：適用于各種高功率電力轉換設備，能處理高電壓負載，保證設備的可靠性和高效性。