--- 產品參數(shù) ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**B200NF04-VB** 是一款采用 TO263 封裝的單級 N 溝道 MOSFET。該器件使用溝槽工藝,具有非常低的導通電阻和高電流承載能力,適合用于高功率和高效率的電子應用。
### 參數(shù)說明
- **封裝**:TO263
- **配置**:單級 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**:40V
- **柵源電壓 (VGS)**:±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**:2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS = 10V
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大漏電流 (ID)**:100A
- **技術**:溝槽工藝
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### 適用領域和模塊示例
1. **電源管理**:B200NF04-VB 的低導通電阻和高電流能力使其非常適合用于電源管理系統(tǒng)中的開關,能夠顯著提高電源轉換效率和系統(tǒng)穩(wěn)定性。
2. **DC-DC 轉換器**:在 DC-DC 轉換器中,該 MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其成為理想的開關組件,有助于提高轉換效率并減少功耗。
3. **電動汽車**:適用于電動汽車的電池管理和電機控制系統(tǒng),處理高電流負載,提高系統(tǒng)的性能和可靠性。
4. **工業(yè)開關**:在工業(yè)應用中,B200NF04-VB 可用于高功率開關,適合用于需要高電流和低功耗的控制電路,提升系統(tǒng)的整體效率和耐用性。
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