--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
B160NF3LL-VB 是一款高性能單級N溝道 MOSFET,封裝形式為 TO263。采用 Trench 技術,具有極低的導通電阻和高電流承載能力,專為高效率、高電流應用設計。
### 詳細參數說明
- **型號**: B160NF3LL-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單級N溝道
- **漏極-源極電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 4.5V 柵極電壓下: 3.2mΩ
- 10V 柵極電壓下: 2.3mΩ
- **最大漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
B160NF3LL-VB 適用于以下領域和模塊:
1. **高效率電源開關**:用于電源管理系統中的高電流開關,實現低功耗和高效能。
2. **電動汽車**:在電動汽車的動力系統中,作為開關元件處理高電流負載,提高系統的穩定性和性能。
3. **電源轉換器**:在高功率 DC-DC 轉換器中,作為高效開關元件,優化能量傳輸并減少能量損失。
4. **工業應用**:用于工業設備中的功率控制模塊,確保高效能和穩定的電力轉換。
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