### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**B15S65-VB** 是一款單極N溝道MOSFET，封裝形式為T(mén)O263。采用SJ_Multi-EPI技術(shù)，具有高耐壓和適中的導(dǎo)通電阻。此MOSFET特別適合用于高電壓應(yīng)用中，如電力轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)電源，能在高電壓環(huán)境下提供可靠的性能和穩(wěn)定性。
### 參數(shù)說(shuō)明
- **型號(hào)**：B15S65-VB
- **封裝**：TO263
- **配置**：?jiǎn)螛ON溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：650V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**：300mΩ @ VGS=10V
- **最大漏電流 (ID)**：15A
- **技術(shù)**：SJ_Multi-EPI
### 適用領(lǐng)域和模塊
**B15S65-VB** MOSFET 在以下領(lǐng)域和模塊中表現(xiàn)優(yōu)異：
1. **高壓開(kāi)關(guān)電源**：其高耐壓能力使其適合用于高壓開(kāi)關(guān)電源中，能夠處理高電壓負(fù)載，并提供穩(wěn)定可靠的開(kāi)關(guān)性能。
2. **逆變器**：適用于逆變器應(yīng)用，能夠在高電壓條件下穩(wěn)定工作，確保電力轉(zhuǎn)換的高效性和可靠性。
3. **工業(yè)電源管理**：在工業(yè)電源管理系統(tǒng)中，B15S65-VB 可用于高電壓負(fù)載開(kāi)關(guān)和電源調(diào)節(jié)，提升系統(tǒng)的整體性能和穩(wěn)定性.
4. **太陽(yáng)能逆變器**：在太陽(yáng)能逆變器中，此MOSFET 能承受高電壓并提供高效能，適合用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)中的電源轉(zhuǎn)換和管理。
5. **高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)**：適合用于高電壓電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中，能提供穩(wěn)定的開(kāi)關(guān)操作并確保電機(jī)的高效運(yùn)行。
