**產品簡介**

B15S60-VB是一款高電壓、高耐壓的單N通道場效應晶體管（MOSFET），封裝形式為TO-263，采用SJ_Multi-EPI技術。該器件設計用于在高電壓條件下穩定工作，適合用于電源轉換和負載驅動應用。具有650V的高漏源電壓和15A的最大漏電流，提供了可靠的開關性能和較低的導通電阻。

**詳細參數說明**

- **型號**：B15S60-VB
- **封裝**：TO-263
- **配置**：單N通道
- **最大漏源電壓 (V_DS)**：650V
- **最大柵源電壓 (V_GS)**：±30V
- **閾值電壓 (V_th)**：3.5V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**：300mΩ@V_GS=10V
- **最大漏電流 (I_D)**：15A
- **技術**：SJ_Multi-EPI工藝

**應用領域和模塊**

1. **高壓電源轉換**：B15S60-VB適用于高電壓DC-DC轉換器和AC-DC電源供應系統，能夠處理高電壓和高功率應用，提高系統的可靠性和穩定性。

2. **電動汽車充電系統**：在電動汽車的充電系統中，該MOSFET能夠處理高電壓電源，確保充電過程的高效性和安全性。

3. **工業電源管理**：適合用于工業設備的電源管理系統，提供高耐壓和高穩定性，特別是在要求高電壓耐受的場合。

4. **太陽能逆變器**：在太陽能逆變器中，該MOSFET可用于處理高電壓輸入，幫助提高轉換效率和系統可靠性。