--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**型號**: B150NF55-VB
**封裝**: TO263
**配置**: 單極性N溝道MOSFET
**耐壓**: 60V
**門源電壓**: ±20V
**閾值電壓**: 3V
**導通電阻**: 4mΩ @ V_GS = 10V
**最大漏電流**: 150A
**技術**: 溝槽型
### 詳細參數說明
- **型號**: B150NF55-VB
- **封裝類型**: TO263
- **配置**: 單N溝道MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (V_DS)**: 60V
- **柵極-源極最大電壓 (V_GS)**: ±20V
- **閾值電壓 (V_th)**: 3V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**: 4mΩ @ V_GS = 10V
- **最大漏電流 (I_D)**: 150A
- **技術類型**: 溝槽型技術
### 應用領域與模塊示例
1. **高功率開關電源**
B150NF55-VB 的高耐壓和低導通電阻特性使其適用于高功率開關電源,能夠有效處理高電流和降低能量損耗,提高電源轉換效率。
2. **電動汽車功率模塊**
由于其高電流能力和穩定的性能,該MOSFET 適用于電動汽車的功率模塊,能夠提供可靠的電流控制和熱管理,保障電動汽車的動力系統。
3. **大功率LED驅動**
在大功率LED驅動系統中,B150NF55-VB 可用于控制高電流負載,確保LED的高效能和長期穩定運行,同時減少功耗和熱量產生。
4. **電機驅動系統**
該MOSFET 的高電流能力和低導通電阻使其適合于電機驅動系統中,能夠提供強大的開關性能和電機控制精度,適用于高功率電機應用。
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