--- 產品參數 ---
- 封裝 TO263
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
**產品簡介**
B130NH02L-VB是一款高電流、高性能的單N通道場效應晶體管(MOSFET),封裝形式為TO-263,采用Trench工藝。其設計用于提供低導通電阻和高電流處理能力,適合用于高效電源管理和負載驅動應用。該器件具備優秀的開關性能,能夠在30V的電壓范圍內穩定工作,并且適合在高電流條件下使用。
**詳細參數說明**
- **型號**:B130NH02L-VB
- **封裝**:TO-263
- **配置**:單N通道
- **最大漏源電壓 (V_DS)**:30V
- **最大柵源電壓 (V_GS)**:±20V
- **閾值電壓 (V_th)**:1.7V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
- 4.5V時:2.7mΩ
- 10V時:2.4mΩ
- **最大漏電流 (I_D)**:98A
- **技術**:Trench工藝
**應用領域和模塊**
1. **電源管理系統**:在高效DC-DC轉換器和電源供應模塊中,B130NH02L-VB因其低導通電阻和高電流處理能力,適用于優化電源效率和減少功耗損耗。
2. **電動汽車**:在電動汽車的電池管理系統和電動機驅動中,該MOSFET能夠處理高電流負載,確保系統的高效運作和可靠性。
3. **工業驅動**:在工業設備的電機驅動系統中,能夠穩定控制高電流電機,提升系統的整體性能和能效。
4. **通信基礎設施**:在通信設備的電源模塊中,B130NH02L-VB作為開關元件能提高系統的穩定性和可靠性,尤其適用于高頻和高功率應用場景。
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