### 產品簡介

**B12NK80Z-VB** 是一款采用 TO263 封裝的單級 N 溝道 MOSFET。該器件采用 SJ_Multi-EPI 技術，具有高耐壓特性和較大的導通電阻，適用于高電壓和中等電流的電子應用。

### 參數說明

- **封裝**：TO263
- **配置**：單級 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**：800V
- **柵源電壓 (VGS)**：±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**：3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**：600mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**：9A
- **技術**：SJ_Multi-EPI

### 適用領域和模塊示例

1. **高壓電源**：B12NK80Z-VB 的高漏源電壓使其非常適合用于高壓電源應用，能夠在高電壓條件下穩定工作，保護電源系統的安全性。

2. **電動工具**：在電動工具中，該 MOSFET 可用于控制電機驅動和開關電源，適應高電壓需求并提供可靠的電流控制。

3. **開關電源**：適用于開關電源模塊中的高電壓開關組件，有效處理大功率輸入，提供穩定的電流控制。

4. **電力轉換器**：在電力轉換器中，B12NK80Z-VB 可以用于高電壓條件下的電流開關，適合用于高電壓電源和電力系統的開關控制。