### 產品簡介

B11NM80-VB 是一款高耐壓單通道 N 溝道 MOSFET，封裝形式為 TO263。此 MOSFET 設計能夠承受高達 800V 的漏源電壓，并且支持最大 15A 的漏極電流。采用 SJ_Multi-EPI 技術，具有較高的導通電阻，適合用于高電壓、高功率的應用場景。

### 詳細參數說明

- **型號**: B11NM80-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單通道 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 800V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±30V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 3.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**: 380mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 15A
- **技術**: SJ_Multi-EPI 工藝

### 適用領域和模塊

B11NM80-VB 適用于以下領域：

1. **電源轉換**: 在高電壓開關電源和變換器中，用于高效的電源轉換和電流調節。
2. **電力電子**: 適合用于高功率電力設備，如電源逆變器和功率放大器，因其高電壓耐受性和穩定性。
3. **工業應用**: 在高壓工業設備中提供可靠的功率開關功能，如電機驅動和自動化控制系統。
4. **家電和照明**: 用于高電壓家電和照明設備的功率控制，確保系統穩定運行和安全。