### 產品簡介

B1100L-VB 是一款高性能單極 N 通道 MOSFET，封裝為 TO263。該 MOSFET 采用先進的 Trench 技術，具有 100V 的漏極源極電壓（VDS）和 100A 的連續漏極電流（ID）。其導通電阻（RDS(ON)）在 VGS 為 4.5V 時為 23mΩ，在 VGS 為 10V 時為 10mΩ，提供良好的開關性能和低導通損耗。閾值電壓（Vth）為 2.5V，VGS 范圍為 ±20V，確保廣泛應用的穩定性和可靠性。

### 詳細參數說明

- **型號**: B1100L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單極 N 通道
- **漏極源極電壓 (VDS)**: 100V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 23mΩ @ VGS = 4.5V
 - 10mΩ @ VGS = 10V
- **連續漏極電流 (ID)**: 100A
- **技術**: Trench

### 適用領域和模塊示例

B1100L-VB 適用于以下領域和模塊：

1. **高電壓電源管理**: 在高電壓電源轉換器中使用，以提供穩定的開關性能和高效的電源管理。
2. **電機驅動系統**: 用于電機驅動系統中，作為高電流開關，控制電機的啟停和運行。
3. **電源保護**: 在電源保護電路中應用，確保電流過載時的保護和斷開。
4. **DC-DC 轉換器**: 在 DC-DC 轉換器中作為開關組件，提升轉換效率并減少能量損耗。