### 產品簡介

**B100NH02L-VB** 是一款高性能單N溝道 MOSFET，封裝形式為 TO263。該 MOSFET 采用 Trench 技術，具有出色的開關性能和低導通電阻，特別適合高電流和低電壓應用。其低導通電阻和高漏電流能力使其在高效電源管理和功率轉換中表現卓越。

### 詳細參數說明

- **型號**: B100NH02L-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (V_DS)**: 30V
- **柵源電壓 (V_GS)**: ±20V
- **柵源閾值電壓 (V_th)**: 1.7V
- **導通電阻 (R_DS(ON))**:
 - 4.5V 柵源電壓下: 2.7mΩ
 - 10V 柵源電壓下: 2.4mΩ
- **最大漏電流 (I_D)**: 98A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊

**B100NH02L-VB** 適用于以下領域和模塊：

1. **高效率電源管理**:
  - 用于開關電源設計，提供低導通電阻以優化能源轉換效率和降低功耗。
2. **DC-DC 轉換器**:
  - 在高效能 DC-DC 轉換器中作為開關元件，支持低電壓高電流操作，提高系統穩定性。
3. **汽車電子**:
  - 應用于車載電源和控制模塊，確保高電流負載下的穩定性和低能量損耗。
4. **消費電子**:
  - 在智能手機、平板電腦等消費電子產品中作為電源開關，支持高效能和小型化設計。

這些應用場景展示了 B100NH02L-VB 在處理低電壓高電流要求的電子模塊中的優勢。