--- 產品參數 ---
- 封裝 TO251
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 一、產品簡介
**AUIRFU4615-VB**是一款高性能的單N溝道功率MOSFET,采用TO251封裝,適用于多種功率管理和開關應用。其主要特點包括200V的漏源電壓(VDS)、±20V的柵源電壓(VGS)、3V的閾值電壓(Vth),以及在VGS為10V時只有56mΩ的導通電阻(RDS(ON))。此型號MOSFET采用先進的Trench技術,提供了更低的導通損耗和更高的效率。它可以承受高達25A的連續漏極電流(ID),非常適合高電流、高效率的應用場景。
### 二、詳細參數說明
1. **型號:** AUIRFU4615-VB
2. **封裝:** TO251
3. **配置:** 單N溝道
4. **漏源電壓(VDS):** 200V
5. **柵源電壓(VGS):** ±20V
6. **閾值電壓(Vth):** 3V
7. **導通電阻(RDS(ON)):** 56mΩ @ VGS=10V
8. **連續漏極電流(ID):** 25A
9. **技術:** Trench
### 三、適用領域和模塊舉例
**AUIRFU4615-VB** MOSFET在電動汽車、太陽能逆變器、工業電源和通信設備中有廣泛的應用。在電動汽車領域,這款MOSFET可以用于電機控制模塊,為電動機提供高效的電源管理和控制,提升電動車的整體性能和續航能力。在太陽能逆變器中,它可以用于DC-DC轉換器,提高能量轉換效率,降低損耗。在工業電源方面,它適合用于開關電源模塊,為各種工業設備提供穩定高效的電源供應。在通信設備中,它可以用于功率放大器模塊,提升信號傳輸的穩定性和效率。通過其高性能和可靠性,AUIRFU4615-VB MOSFET能在這些領域發揮關鍵作用,確保設備的高效運行和長久耐用。
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