--- 產品參數 ---
- 封裝 TO252
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
AUIRFR3504ZTRR-VB 是一款高性能的 N 溝道 MOSFET,采用 TO-252 封裝,具有優良的電氣特性和高效能。它的主要特點包括低導通電阻(RDS(ON))、高耐壓以及寬廣的柵極驅動電壓范圍,適用于高功率和高頻率應用。此器件具有 40V 的漏源耐壓,能夠承受高達 85A 的漏極電流,適合用于各種電力電子和電源管理模塊。
### 詳細參數說明
- **型號**: AUIRFR3504ZTRR-VB
- **封裝**: TO-252
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 40V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 2.5V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 85A
- **技術**: 溝槽型
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### 應用領域與模塊
AUIRFR3504ZTRR-VB MOSFET 適用于以下領域和模塊:
1. **電源管理系統**:高效的開關和電流承載能力使其在電源轉換器和電源供應模塊中表現出色,提供穩定的電流控制和低導通損耗。
2. **電動汽車**:在電動汽車的驅動系統中,MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻幫助提高整體能效,支持電池管理和動力控制模塊。
3. **電機控制**:用于高效驅動直流電機和步進電機,在變頻器和伺服控制系統中提供精確的控制和高效能。
4. **開關電源**:在開關電源模塊中,由于其低導通電阻和高電流能力,可以有效提高開關效率,減少功率損耗。
5. **DC-DC 轉換器**:在高功率 DC-DC 轉換器中,MOSFET 的低 RDS(ON) 和高電流能力有助于降低轉換損耗并提高轉換效率。
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