型號簡介
MPQ1918GQE-AEC1-Z是MPS的一款柵極驅動器。專為驅動半橋或同步應用中的增強型氮化鎵 (GaN) FET 和低柵極閾值電壓 N 溝道 MOSFET而設計。采用獨立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脈寬調制 (PWM) 輸入。它采用自舉技術提供 HS 驅動電壓自舉，并可以在高達 100V 的電壓下工作。其新型充電技術可防止 HS 驅動電壓超過 VCC 電壓 (VCC)，從而防止柵極電壓超過 GaN FET 的最大柵源電壓額定值。
型號特點
- 獨立的上管 (HS) 和下管 (LS) TTL 邏輯輸入
- HS 浮動偏置電壓軌工作電壓高達 100VDC
- 獨立柵極輸出以實現可調導通與關斷能力
- 內部自舉開關電源電壓鉗位
- 3.7V 至 5.5V VCC 電壓 (VCC) 范圍
- 0.27Ω/1.2Ω 下拉/上拉電阻
- 快速傳播時間
- 出色的傳播延遲匹配（1.5ns典型值）
- 采用側面鍍錫的 FCQFN-14 (3mmx3mm) 封裝
- 符合AEC-Q100 等級1認證
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