--- 產品參數 ---
- 操作頻率 8.4 – 9.6 GHz
- POUT 典型值 80 W
- 功率增益 10分貝
- 典型 PAE 55 %
- 內部匹配 50 歐姆
- 功率下降 <0.1 dB
--- 產品詳情 ---
CGHV96050F2 是碳化硅 (SiC) 襯底上的氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。與其他技術相比,這種 GaN 內部匹配 (IM) FET 可提供出色的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有優越的性能;包括更高的擊穿電壓;更高的飽和電子漂移速度和更高的熱導率。與 GaAs 晶體管相比,GaN HEMT 還提供更高的功率密度和更寬的帶寬。該 IM FET 采用金屬/陶瓷法蘭封裝,可實現最佳電氣和熱性能。
特征
8.4 – 9.6 GHz 操作
80 W POUT 典型值
10分貝功率增益
55 % 典型 PAE
50 歐姆內部匹配
<0.1 dB 功率下降
應用
海洋雷達
天氣監測
空中管制
海上船舶交通管制
港口安全
相關型號
CGHV96050F2
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上傳時間:2024-11-15 16:02
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