CPM3-1700-R020E是1700 V 工業級裸片碳化硅 MOSFET – Gen 3。符合工業標準的第 3 代 1700 V 碳化硅 MOSFET 針對高功率應用進行了優化憑借我們的首款工業 Gen3 1700 V 裸片 SiC MOSFET 繼續在碳化硅 (SiC) 領域處于領先地位。該產品完全符合工業標準，具有高阻斷電壓 (1700 V) 和業界領先的低 R DS(ON)過溫穩定性，可在最苛刻的應用中實現低傳導損耗和最高品質因數。這些設備經過優化，可用于高功率應用，例如機車牽引、固態斷路器、太陽能、不間斷電源等。基于最新的第三代技術；1700 V 裸片碳化硅 MOSFET 包括一系列導通電阻和封裝選項，使設計人員能夠為其應用選擇正確的器件。1700 V MOSFET 專為低 R DS(ON)設計，易于并聯并與標準柵極驅動設計兼容。從基于硅的解決方案轉向碳化硅所獲得的效率有助于減少系統尺寸、重量和冷卻要求。背面金屬化為模塊設計人員在選擇組裝工藝和模塊布局方面提供了更好的解決方案
好處
以更低的開關和傳導損耗提高系統效率
減小系統尺寸、重量和冷卻要求
實現高開關頻率操作
易于并行并與標準柵極驅動設計兼容
特征
工業合格
高阻斷電壓和業界領先的低 R DS(on)過溫穩定性
抗閉鎖
驅動器的高柵極電阻
應用
火車牽引
太陽能
不間斷電源系統 (UPS)
風力
阻斷電壓:1700V
電阻：17.5hR
柵極電荷總數：249nC
輸出電容：188pF
反向恢復電荷：2557nC
反向恢復時間 ：43納秒
最高結溫：175°C
相關型號
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