CPM2-1200-0080A是1200 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 1200 V 碳化硅 MOSFET 針對高功率應用進行了優化提供一系列 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，它們針對不間斷電源 (UPS) 等大功率應用進行了優化；電機驅動器；開關電源；太陽能和儲能系統；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉換器；和更多。基于最新的第三代技術；1200 V 碳化硅 MOSFET 包括一系列導通電阻和封裝選項，使設計人員能夠為其應用選擇正確的部件。1200V MOSFET 專為超低 RDS(ON) 和增加的 CGS/CGD 比率而設計，以提高硬開關性能。軟開關應用也可以從更線性的 COSS 行為中受益。將1200 V SiC 二極管與 SiC MOSFET 搭配使用，可在要求苛刻的應用中實現更高效率的強大組合。從基于硅的解決方案轉向碳化硅所獲得的效率有助于減小系統尺寸；重量; 設計復雜性；大多數大功率應用中的成本。一系列頂面和背面金屬化選項和芯片布局為模塊設計人員提供了選擇組裝工藝和模塊布局的靈活性。。

好處
? 更高的系統效率
? 降低冷卻要求
? 增加功率密度
? 提高系統開關頻率

特征
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 易于并聯且易于驅動
? 雪崩堅固性

應用
? 太陽能逆變器
? 開關模式電源
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 電池充電器
? 電機驅動
? 脈沖電源應用

阻斷電壓:1200V
脈沖漏極電流：80A
最高加工溫度：325 ?C
反向恢復時間：24ns
反向恢復電荷：152nC
峰值反向恢復電流：10A

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