CPM3-0900-0010A是900 V 裸片碳化硅 MOSFET – 第 3 代。第 3 代系列 900 V 碳化硅 MOSFET，用于高性能電力電子設(shè)備。通過引入最先進(jìn)的 SiC MOSFET 技術(shù)來擴(kuò)展其在碳化硅 (SiC) 技術(shù)方面的領(lǐng)先地位；業(yè)界首個 900 V MOSFET 平臺。針對高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化；包括可再生能源逆變器；電動汽車充電系統(tǒng)；三相工業(yè)電源；新的 900V 平臺使體積更小；打火機(jī); 和更高效率的下一代電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，其成本與基于硅的解決方案相當(dāng)。
好處
高壓；高溫; 和高耐濕性使太陽能轉(zhuǎn)換和非車載充電的真正戶外應(yīng)用成為可能
通過顯著降低開關(guān)損耗提高系統(tǒng)效率
減小系統(tǒng)尺寸；重量; 和冷卻要求
提高功率密度
易于并行并與標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動設(shè)計(jì)兼容
特征
在整個工作溫度范圍內(nèi)至少 900V Vbr
高阻斷電壓和低 RDS(on)
具有低反向恢復(fù)電荷 (Qrr) 的快速本征二極管
具有低輸出電容的高速開關(guān)
應(yīng)用
太陽能逆變器
電機(jī)驅(qū)動
高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
開關(guān)模式電源
固態(tài)斷路器
非車載充電器
阻斷電壓:900V
電阻：10hR
柵極電荷總數(shù)：210nC
輸出電容：360pF
反向恢復(fù)電荷：1300nC
反向恢復(fù)時間 ：36納秒
最高結(jié)溫：175°C
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