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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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C2M0040120D碳化硅MOSFET

型號： C2M0040120D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1200V
  • 柵極 - 源極電壓 -10/+25V
  • 柵極 - 源極電壓 -5/+20V
  • 脈沖漏極電流 160A
  • 功耗 278W
  • 工作結溫和存儲溫度 -55to +150?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C2M0040120D1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅動；開關電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉換器；和更多。基于第三代技術；各種各樣的導通電阻和封裝選項使設計人員能夠為他們的應用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。

C2M0040120D


好處
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 增加功率密度
? 提高系統(tǒng)開關頻率

 

特征
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關
? 易于并聯(lián)且易于驅動
? 抗閂鎖
? 無鹵素，符合 RoHS 標準


應用
? 太陽能逆變器
? 開關模式電源
? 高壓 DC/DC 轉換器
? 電池充電器
? 電機驅動
? 脈沖電源應用


相關型號
C2M0040120D C2M1000170D
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C3M0075120K-A C2M0045170D
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