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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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CG2H40035F-AMP 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

型號： CG2H40035F-AMP

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 頻率 高達 6 GHz 的操作
  • PSAT功率 40 W 典型 PSAT
  • PSAT效率 PSAT 的效率為 64%
  • 增益 3.5 GHz 時 14 dB 小信號增益
  • 電壓 28 伏操作

--- 產(chǎn)品詳情 ---

       CG2H40035 是無與倫比的；氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)。CG2H40035；從 28 伏電壓軌運行；提供一般用途；適用于各種射頻和微波應用的寬帶解決方案。GaN HEMT 提供高效率；高增益和寬帶寬能力使 CG2H40035 成為線性和壓縮放大器電路的理想選擇。晶體管可用于旋入式；法蘭封裝和焊接；藥丸包。

CG2H40035F-AMP

 

 

特征

高達 6 GHz 的操作

40 W 典型 PSAT

PSAT 的效率為 64%

3.5 GHz 時 14 dB 小信號增益

28 伏操作

 

 

應用

2路私人收音機

寬帶放大器

蜂窩基礎設施

測試儀器

A類；乙; 適用于OFDM的線性放大器；W-CDMA；邊緣; CDMA波形

 

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