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6N140A / 883B是一款高可靠性H類四通道密封光電耦合器,采用16引腳DIP陶瓷封裝。還提供鍍金引線,焊接浸漬引線和各種引線形式選項。有關詳細信息,請參見數據表。
該產品可在整個軍用溫度范圍內運行和存儲,也可以商品級購買,具有完整的MIL-PRF-38534 K級測試,或者來自適當的DLA SMD(H類83024,K類5962-98002)。 6N140A / 883B在MIL-PRF-38534認證系列上制造和測試,并包含在DLA 合格制造商列表QML-38534中,用于混合微電路。
每個通道包含一個GaAsP發光二極管,光學耦合到集成的高增益光子探測器。高增益輸出級采用開路集電極輸出,與傳統的達達頓光電耦合器相比,具有更低的飽和電壓和更高的信號傳輸速度。 IC工藝提供的淺深度和小結可提供比傳統光電晶體管光電耦合器更好的抗輻射性。
電源電壓可低至2.0 V,但不會對參數性能產生不利影響。這些器件在輸入電流僅為0.5 mA時具有300%的最小CTR,非常適合用于低輸入電流應用,如MOS,CMOS,低功耗邏輯接口或線路接收器。通過在18伏特下指定Icch和Ioh來確保與高壓CMOS邏輯系統的兼容性。
具有一個,兩個或四個通道的該模組的封裝類型是8和16引腳DIP通孔,16-引腳表面貼裝DIP扁平封裝,以及20焊盤無引腳陶瓷芯片載體。大多數設備可以購買各種鉛形式和電鍍選項。有關詳細信息,請參見數據表。
因為數據表中列出的每個器件的每個通道都使用相同的電子芯片(發射器和探測器),所示的絕??對最大額定值,推薦工作條件,電氣規格和性能特征在數據表中,所有部件的數字幾乎相同。由于包裝的變化和限制而存在偶然的例外,并且如上所述。另外,在所有設備中使用相同的包裝組裝過程和材料。這些相似性為使用從一個部件獲得的數據來表示其他部件的可靠性和某些有限的輻射測試結果提供了理由。