TLE207x系列JFET輸入運算放大器的帶寬是TL07x和TL08x系列BiFET運算放大器的兩倍以上和壓擺率的三倍。德州儀器Excalibur工藝產(chǎn)生的典型本底噪聲為11.6 nV / Hz ，17-nV / Hz 確保最大值，立即改善使用TL07x設計的噪聲敏感電路。 TLE207x還具有更寬的電源電壓軌，將BiFET電路的動態(tài)信號范圍增加到±19 V.偏移電壓的片上齊納調整可產(chǎn)生精密等級，從而在直流耦合應用中實現(xiàn)更高的精度。 TLE207x與低性能BiFET運算放大器引腳兼容，可輕松提高現(xiàn)有設計的性能。

BiFET運算放大器提供JFET輸入晶體管固有的更高輸入阻抗，而不會犧牲相關的輸出驅動帶雙極放大器。這使它們更適合與高阻抗傳感器或極低電平交流信號接口。與具有相當功耗的雙極或CMOS器件相比，它們還具有固有的更好的交流響應。

TLE207x系列BiFET放大器是德州儀器最高性能的BiFET，具有更嚴格的輸入失調電壓并確保最大噪聲規(guī)格。需要不太嚴格的規(guī)格但尋求TLE207x改進的交流特性的設計人員應考慮使用TLE208x運算放大器系列。

由于BiFET運算放大器設計用于雙電源，因此必須注意觀察單電源供電時的模式輸入電壓限制和輸出擺幅。需要對輸入信號進行直流偏置，并且應將負載端接到中間電源的虛擬接地節(jié)點。德州儀器（TI）TLE2426集成虛擬地發(fā)生器在使用單電源供應BiFET放大器時非常有用。

TLE207x的額定電壓為±15 V和±5 V.適用于低壓和/或單電源供電系統(tǒng)，推薦使用德州儀器LinCMOS系列運算放大器（TLC和TLV前綴）。從BiFET轉換到CMOS放大器時，應特別注意壓擺率和帶寬要求以及輸出負載。