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CSD17382F4 CSD17382F4

數據:

描述

這種30V,54mΩ,N溝道FemtoFET?MOSFET技術經過了設計和優化,能夠以最大限度減小許多手持式和移動類應用中的封裝尺寸。這項技術能夠在替代標準小信號MOSFET的同時將封裝尺寸減小60%以上。

特性

  • 低導通電阻
  • 低Q g 和Q gd
  • 低閾值電壓
  • 超小型封裝尺寸(0402外殼尺寸)
    • 1.0mm×0.6mm
  • 超薄
    • 高度為0.35mm
  • 集成型靜電放電(ESD)保護二極管
    • 額定值> 3kV人體模型(HBM)
    • 額定值>
    • 無鉛且無鹵素small>所有商標均為其各自所有者的財產。

參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
RDS(on) Typ at VGS=2.5V (Typ) (mOhm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
Logic Level
CSD17382F4 CSD13381F4 CSD13383F4 CSD17484F4
30 ? ? 12 ? ? 12 ? ? 30 ? ?
Single ? ? Single ? ? Single ? ? Single ? ?
67 ? ? 180 ? ? 44 ? ? 128 ? ?
14.8 ? ? 7 ? ? 27 ? ? 18 ? ?
2.1 ? ? 1.06 ? ? 2 ? ? 0.92 ? ?
0.63 ? ? 0.14 ? ? 0.6 ? ? 0.075 ? ?
LGA 1.0 x 0.6mm ? ? LGA 1.0 x 0.6mm ? ? LGA 1.0 x 0.6mm ? ? LGA 1.0x0.6mm ? ?
67 ? ? 170 ? ? 53 ? ? 125 ? ?
10 ? ? 8 ? ? 10 ? ? 12 ? ?
0.9 ? ? 0.85 ? ? 1 ? ? 0.85 ? ?
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技術文檔

數據手冊(1)
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