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CSD18532Q5B 60V,N 通道 NexFET 功率 MOSFET

數(shù)據(jù):

描述

這款采用5mm×6mm SON封裝的2.5mΩ,60V NexFET?功率MOSFET,用于最大程度的降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗。 /p>

特性

  • 超低Q g 和Q gd
  • 低熱阻
  • 雪崩額定值
  • 邏輯電平
  • 無鉛引腳鍍層
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
  • 無鹵素
  • SON 5mm×6mm塑料封裝

所有商標(biāo)均為其各自所有者的財(cái)產(chǎn)。

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
CSD18532Q5B
60 ? ?
Single ? ?
4.3 ? ?
3.2 ? ?
400 ? ?
44 ? ?
SON5x6 ? ?
20 ? ?
1.8 ? ?
172 ? ?
100 ? ?
Yes ? ?

方框圖 (1)

技術(shù)文檔

數(shù)據(jù)手冊(1)
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