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      3天內不再提示

      CSD16556Q5B 25V NexFET N 通道功率 MosFET

      數據：

      描述

      這款25V，0.9mΩ，5mm×6mm SON NexFET功率MOSFET設計用于大大降低同步整流和其它功率轉換應用中的損耗。

      特性

      • 超低電阻
      • 超低Q g 和Q gd
      • 低熱阻
      • 雪崩級
      • 無鉛引腳鍍層
      • 符合RoHS標準
      • 無鹵素
      • 小外形尺寸無引線（SON）5mm x 6mm塑料封裝

      應用范圍

      • 網絡互聯，電信和計算系統中的負載點同步降壓
      • 已針對同步場效應應晶進管（FET）應用進行優化

      所有商標均為其各自所有者的財產。

      參數 與其它產品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

      ?
      VDS (V)
      Configuration
      Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
      Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
      IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
      QG Typ (nC)
      QGD Typ (nC)
      Package (mm)
      VGS (V)
      VGSTH Typ (V)
      ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
      ID, package limited (A)
      Logic Level
      CSD16556Q5B
      25 ? ?
      Single ? ?
      1.5 ? ?
      1.07 ? ?
      400 ? ?
      37 ? ?
      13 ? ?
      SON5x6 ? ?
      20 ? ?
      1.4 ? ?
      263 ? ?
      100 ? ?
      Yes ? ?

      技術文檔

      數據手冊（1）
      元器件購買 CSD16556Q5B 相關庫存
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